Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
onsemi
1: ₡3 057,65
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₡1 458,35

Envase tipo carrete

₡1 458,35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: ₡3 887,13
2 791En existencias

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Cinta cortada

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₡1 902,90

₡1 767,37

₡1 680,63

Envase tipo carrete

₡1 680,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: ₡2 239,03
6 822En existencias

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NVMFS5C628NT1G

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863-NVMFS5C628NT1G

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₡1 366,19

₡1 068,01

₡899,95

₡840,31

Envase tipo carrete

₡840,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC1D6N06CL
onsemi
1: ₡3 887,13
1 855En existencias

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NVMFSC1D6N06CL

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863-NVMFSC1D6N06CL

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₡2 586,00

₡2 168,55

₡2 157,71

₡2 011,33

Envase tipo carrete

₡1 778,21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

224 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFT1G
onsemi
1: ₡3 648,58
4 387En existencias
NRND

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NVMFS5C604NLWFT1G

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863-NVM604NLWFT1G

NRND

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₡2 455,88

₡1 805,32

₡1 794,47

₡1 648,10

Envase tipo carrete

₡1 474,61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: ₡3 025,13
640En existencias

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NVMFS5C612NLWFAFT1G

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Envase tipo carrete

₡1 203,55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V 3.0 mOhms 150 A

NVMFS5C628NWFT1G
onsemi
1: ₡1 848,69
705En existencias

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NVMFS5C628NWFT1G

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863-NVMFS5C628NWFT1

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₡786,10

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₡731,89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
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₡552,98

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

2.3 mOhms

20 V

2.4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NT1G
onsemi
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349En existencias

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NVMFS5C604NT1G

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863-NVMFS5C604NT1G

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₡2 623,95

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₡2 623,95

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NT1G
onsemi
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NVMFS5C612NT1G

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863-NVMFS5C612NT1G

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₡1 192,70

Envase tipo carrete

₡1 192,70

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

225 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: ₡3 225,72
5 038En existencias

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NVMFS5C604NLAFT1G

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863-NVMFS5C604NLFT1G

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Cinta cortada

₡3 225,72

₡1 962,54

₡1 702,31

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₡1 702,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NWFT1G
onsemi
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29En existencias
4 500Se espera el 10/8/2027

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NVMFS5C604NWFT1G

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863-FS5C604NWFT1G

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29En existencias

4 500Se espera el 10/8/2027

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₡5 264,15

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Envase tipo carrete

₡2 699,84

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

288 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS024N06CT1G
onsemi
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1 326En existencias

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NVMFWS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS024N06CT1G

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₡1 008,38

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₡432,08

₡342,09

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Envase tipo carrete

₡294,38

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
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2 909En existencias
3 000Se espera el 19/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

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Cinta cortada

₡3 220,30

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₡1 680,63

₡1 653,52

₡1 637,25

Envase tipo carrete

₡1 583,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
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1 647En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Cinta cortada

₡1 897,48

₡1 311,97

₡1 122,22

₡1 068,01

Envase tipo carrete

₡1 068,01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NVMFS5C612NLT1G
onsemi
1: ₡2 629,37
1 131En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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Cinta cortada

₡2 629,37

₡2 276,98

₡1 810,74

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Envase tipo carrete

₡1 133,07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

235 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
1: ₡1 057,17
586En existencias

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NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

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₡1 057,17

₡672,25

₡451,60

₡357,27

₡291,13

Envase tipo carrete

₡286,25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
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NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

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Envase tipo carrete

₡1 523,41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

316 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLT1G
onsemi
1: ₡4 337,10
97En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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Cinta cortada

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₡2 949,23

₡2 276,98

₡2 125,18

Envase tipo carrete

₡2 125,18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

NVMFS5C604NLWFET1G
onsemi
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NVMFS5C604NLWFET1G

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863-MFS5C604NLWFET1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

1.2 mOhms

20 V

2 V

120 nC

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2 V

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2.4 V

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