STripFET II™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET II™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET™ technology with a gate structure. The resulting STripFET™ Power MOSFET exhibits a high current and low RDS(on). These Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density. These STripFET™ Power MOSFETs are a well-established planar technology for high-efficiency, low-voltage systems.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
Hoja de datos
1 400En existencias
Cinta cortada
₡1 811,22
₡910,81
₡822,34
₡666,20
Envase tipo carrete
₡614,15
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 330 V 18 A 180 mOhms 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
Hoja de datos
2 003En existencias
Cinta cortada
₡707,83
₡331,02
₡294,06
₡229,00
Envase tipo carrete
₡184,77
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET
Hoja de datos
53En existencias
13 000En pedido
₡2 326,48
₡1 400,05
₡1 171,05
₡1 014,91
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
₡1 119,00
₡1 082,57
₡1 051,34
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel