Resultados: 41
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 70A 1 466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 5.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 18 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 70A 10En existencias
1 500Se espera el 9/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.8 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 19.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 12.8A 849En existencias
9 000Se espera el 30/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12.8 A 68 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 4.4 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 60A
37 510En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30.1 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 54A
12 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 12 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 56A
1 497Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 56 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 6.7 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 53A
2 995En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 24.8 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 47A
3 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 47 A 13 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 37A
1 500Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 14 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 8 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 38A
2 895Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 17 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 13.8 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 30A
1 500Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 20 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 7.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 32A
2 972En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 21 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 22A
1 500Se espera el 1/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 37 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 17.6A
3 000Se espera el 28/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 17.6 A 32.4 mOhms - 10 V, 16 V 1.4 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 17A
4 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 43 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 64A
3 000Se espera el 5/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64 A 7.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel