Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 071,45
628En existencias

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IPP076N15N5XKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

112 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡957,66
374En existencias

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BSC097N06NSATMA1

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Infineon Technologies

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₡309,68

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₡232,65

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
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246En existencias
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BSZ019N03LSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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₡491,32

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Envase tipo carrete

₡334,66

MouseReel Disponible

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TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
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Envase tipo carrete

₡143,13

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡895,20
2 812En existencias
5 000Se espera el 9/7/2026

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IAUC41N06S5N102ATMA1

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726-IAUC41N06S5N102A

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Envase tipo carrete

₡206,62

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
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46En existencias
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IPTC011N08NM5ATMA1

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₡1 577,01

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SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

80 V

408 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH35N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQDH35N03LM5CGATMA1

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Envase tipo carrete

₡1 051,34

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TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

700 A

350 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

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278 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQDH88N06LM5CGATMA1

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Envase tipo carrete

₡1 316,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5 000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

860 uOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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6En existencias
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1

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726-IQE006NE2LM5CGSC

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

₡707,83

MouseReel Disponible

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: 6 000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IQE050N08NM5ATMA1

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726-IQE050N08NM5ATMA

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₡2 102,68

₡1 374,03

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₡770,29

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Envase tipo carrete

₡640,17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

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3.8 V

35 nC

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+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 357,71
54En existencias
6 000Se espera el 12/11/2026

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IQE065N10NM5SCATMA1

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726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

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₡2 357,71

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₡983,68

₡817,13

₡765,08

Envase tipo carrete

₡697,42

Min.: 1
Mult.: 1

: 6 000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 997,17
18En existencias

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IQFH68N06NM5ATMA1

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726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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18En existencias

Cinta cortada

₡3 997,17

₡2 685,60

₡2 055,84

₡1 764,38

₡1 603,03

Envase tipo carrete

₡1 603,03

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

460 A

1.12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 019,41
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

₡2 019,41

₡1 316,78

₡910,81

₡754,67

Envase tipo carrete

₡608,94

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 306,37
30 900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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30 900En pedido

Cinta cortada

₡1 306,37

₡827,54

₡556,90

₡452,80

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Envase tipo carrete

₡360,68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 763,67
11 970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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11 970En pedido

Cinta cortada

₡2 763,67

₡1 821,63

₡1 285,55

₡1 056,54

₡942,04

Envase tipo carrete

₡843,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6 000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 101,27
11 901Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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11 901Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

₡4 101,27

₡2 758,47

₡1 993,38

₡1 670,69

₡1 618,65

Envase tipo carrete

₡1 431,28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: ₡806,72
27 341En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

27 341En pedido

Cinta cortada

₡806,72

₡505,37

₡333,62

₡259,19

₡215,47

Envase tipo carrete

₡193,61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 852,86
9 970Se espera el 6/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

9 970Se espera el 6/8/2026

Cinta cortada

₡1 852,86

₡1 186,66

₡817,13

₡681,81

Ver

Envase tipo carrete

₡536,08

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5

IAUS300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 137,70
1 800Se espera el 16/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N10S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5

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1 800Se espera el 16/7/2026

Cinta cortada

₡4 137,70

₡2 768,88

₡2 222,39

₡1 977,77

₡1 753,97

Envase tipo carrete

₡1 753,97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

100 V

360 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 502,73
5 079En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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3.8 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQD009N06NM5CGATMA1
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IQD009N06NM5CGATMA1

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IQE012N03LM5CGSCATMA1
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IQE046N08LM5SCATMA1
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WHSON-8

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

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112 A
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122 A

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350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
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1.1 mOhms
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1.55 mOhms
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12.5 nC
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17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
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39 nC
40 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC
53 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W