T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

onsemi T10 Low/Medium Voltage MOSFETs are single N-channel power MOSFETs in 40V and 80V categories with improved performance, enhanced system efficiency, and high power density. These power MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The T10 low/medium voltage MOSFETs provide low QRR and a soft recovery body diode. These MOSFETs comply with the RoHS and are Pb-free and Halogen-free/BFR-free. Typical applications include Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC converters, the primary switch in an isolated DC-DC converter, battery protection, and motor drives.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL PACKAGE 772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE 888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT WSFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V SG TOLL
2 000Se espera el 27/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT H-PSOF-8L N-Channel 1 Channel 80 V 299 A 1.1 mOhms 20 V 3.6 V 120 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
1 500Se espera el 17/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.9 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
1 500Se espera el 3/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 4.5 mOhms 20 V 3.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
1 500Se espera el 17/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 73 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape