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SIR873DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR873DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR873DP-T1-GE3
Price: 1195 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR873DP-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIR873DP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Hoja de datos:

SIR873DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 195	₡1 195
	₡795	₡7 950
	₡561	₡56 100
	₡469	₡234 500
	₡444	₡444 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡391	₡1 173 000
	₡382	₡2 292 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	37 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	39.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	SIR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	506,600 mg

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Hoja de datos

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET

Vishay / Siliconix SIR873DP SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET provides low on-resistance that minimizes power loss from conduction. This device is available in a single-configuration PowerPAK® package. Vishay / Siliconix SIR873DP SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET Power MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include load switches, active clamps in DC/DC power supplies, battery protection, and motor drive control.