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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 300
Mult.: 1 300
: 1 300

SmartBond Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SmartBond Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 300
Mult.: 1 300
: 1 300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 20A, 21mOhms, uSO8-FL N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 20 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel