ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays are high-precision monolithic quad p-channel MOSFET arrays. These MOSFET arrays belong to the EPAD® matched pair MOSFET family. The ALD31070x MOSFET arrays are used for low-voltage and low-power small signal applications with low gate threshold voltages of 0V and -0.2V. These arrays are designed for exceptional matching of electrical device characteristics. Fabricated on the same monolithic chip, the ALD31070x arrays offer excellent temperature tracking characteristics. These MOSFET arrays feature a versatile design for various precision analog applications like current mirrors, matching circuits, and current sources.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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46En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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53En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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Si Through Hole PDIP-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si Through Hole PDIP-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si Through Hole PDIP-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si Through Hole PDIP-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

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Si DIP-16 Tube

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Si DIP-16 Tube

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Si SOIC-16 Tube

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Si DIP-16 Tube

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Si SOIC-16 Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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Si DIP-16 Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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Si SMD/SMT SOIC-8 Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair
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Si SOIC-16 Tube