MOSFET N-Ch TPH2R70AR5

Toshiba TPH2R70AR5 N-Channel MOSFET merges low on-resistance with low switching loss for power conversion efficiency. The TPH2R70AR5 is developed for demanding applications and supports high-speed switching and reliable performance in compact designs. The N-channel silicon MOSFET is ideal for high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators, and motor drivers.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
Hoja de datos
3 052En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
Hoja de datos
3 441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 0.67 Ohms 20 V 2 V 88 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H
Hoja de datos
5 409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 190 A 2.7 mOhms 20 V 4.3 V 52 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape