Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 204
2 498 En existencias
3 000 Se espera el 2/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
2 498 En existencias
3 000 Se espera el 2/3/2026
Embalaje alternativo
1
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10
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Detalles
Si
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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34 A
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- 55 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
IRFB7730PBF
Infineon Technologies
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942-IRFB7730PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
1 020 En existencias
2 000 Se espera el 5/3/2026
1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
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Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
982 En existencias
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Detalles
Si
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
IRFS4615TRLPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
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Si
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Enhancement
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
1 289 En existencias
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Detalles
Si
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TO-252-7
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
BSC0904NSI
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
9 773 En existencias
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Detalles
Si
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
770 En existencias
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Si
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StrongIRFET
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
16 660 En existencias
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Presupuesto
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Detalles
Si
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
8 748 En existencias
4 000 Se espera el 16/4/2026
1
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Detalles
Si
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
25 376 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Detalles
Si
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
6 548 En existencias
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1 000
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2 500
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₡222
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Detalles
Si
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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20 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
4 723 En existencias
20 000 En pedido
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Existencias:
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En pedido:
10 000 Se espera el 30/4/2026
10 000 Se espera el 2/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas
1
₡1 694
10
₡1 102
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₡760
500
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1 000
Ver
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₡512
Comprar
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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726-BSC040N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
3 561 En existencias
5 000 Se espera el 2/4/2026
1
₡1 578
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1 000
Ver
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Presupuesto
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Detalles
Si
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TDSON-8
N-Channel
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104 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
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2 200 Se espera el 2/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
7 552 En existencias
2 200 Se espera el 2/3/2026
Embalaje alternativo
1
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10
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100
₡218
500
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1 000
Ver
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₡166
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5 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC109N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
3 717 En existencias
1
₡1 218
10
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1 000
Ver
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₡325
1 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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63 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
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7 771 En existencias
10 000 Se espera el 30/7/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
7 771 En existencias
10 000 Se espera el 30/7/2026
1
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10
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1 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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1 Channel
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21 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
10 958 En existencias
Embalaje alternativo
1
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10 000
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Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
149 A
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2 V
44 nC
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+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1:
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6 218 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
6 218 En existencias
1
₡789
10
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1 000
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Detalles
Si
SMD/SMT
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
1:
₡597
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
6 251 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡597
10
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₡186
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₡132
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Ver
1 000
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2 500
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0902NS
Infineon Technologies
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₡777
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N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
5 862 En existencias
1
₡777
10
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1 000
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2 500
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₡174
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
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2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1:
₡2 262
2 683 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IP726-B108N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
10.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
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726-IPB107N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
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1 000
₡1 578
2 000
₡1 572
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1:
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2 219 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
2 219 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 975
10
₡1 978
100
₡1 630
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₡1 380
1 000
₡1 212
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
3 737 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
210 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
12 149 En existencias
1
₡748
10
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25
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₡289
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
43 A
12.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel