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RRQ030P03HZGTR

Name: ROHM Semiconductor RRQ030P03HZGTR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRQ030P03HZGTR
Price: 377 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RRQ030P03HZGTR

Fabricante N.º:

RRQ030P03HZGTR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT457T

Hoja de datos:

RRQ030P03HZGTR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡377	₡377
	₡343	₡3 430
	₡230	₡23 000
	₡186	₡93 000
	₡168	₡168 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡142	₡426 000
	₡132	₡792 000
	₡122	₡1 098 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-457T-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	5.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	RRQ030P03HZG

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RRQ030P03HZG P-Channel Automotive MOSFET

ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG P-Channel Small Signal MOSFET provides low on-resistance and incorporates a built-in G-S diode. This MOSFET offers -30V drain-to-source voltage (V_DSS), ±3A continuous drain current (I_D), and 1.25W power dissipation (P_D). The RRQ030P03HZG MOSFET features lead-free lead plating and AEC-Q101 qualification. ROHM Semiconductor RRQ030P03HZG MOSFET comes in a small TSMT6 surface-mount package and is ideal for switching applications.

Automotive Power Solutions

ROHM Semiconductor Automotive Power Solutions offer a broad portfolio of products and solutions for automotive systems, from the infotainment center and instrument cluster to powertrain and body ECUs. Also, as the demand for next-generation vehicles that embody these principles increases and automatic driving and smart cities will soon be realized, high-performance ICs and high power devices are becoming indispensable. ROHM contributes to the evolution and advancement of the automotive sector and next-generation cars by taking a quality-first approach to product manufacturing while ensuring long-term, stable supply.