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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
136En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
172En existencias
480En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
203En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
335En existencias
240Se espera el 26/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
224En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Hoja de datos
240Se espera el 10/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC