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NVMYS9D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS9D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS9D3N06CLTWG
Price: 916.4 CRC
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

863-NVMYS9D3N06CLTWG

Fabricante N.º:

NVMYS9D3N06CLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Plazo de entrega de fábrica:: 47

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡916,40	₡916,40
	₡578,84	₡5 788,40
	₡386,28	₡38 628,00
	₡304,50	₡152 250,00
	₡277,24	₡277 240,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡251,72	₡755 160,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	9.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	46 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	37 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	NVMYS9D3N06CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMYS9D3N06CL Power MOSFET

onsemi NVMYS9D3N06CL Power MOSFET is a 60V, 9.2mΩ, and 50A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(ON) to minimize conduction losses and low gate charge (Q_G) and capacitance to minimize driver losses. The NVMYS9D3N06CL power MOSFET is AEC-Q101-qualified and is PPAP-capable. This MOSFET is suitable for reverse battery protection, power switches, switching power supplies, and other automotive applications requiring enhanced board-level reliability.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.