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NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 2442 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS3D2N10MDT1G

Fabricante N.º:

NTMFS3D2N10MDT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Hoja de datos:

NTMFS3D2N10MDT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 33

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₡-

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 442	₡2 442
	₡1 624	₡16 240
	₡1 363	₡136 300
	₡1 073	₡536 500
	₡899	₡899 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡899	₡1 348 500

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	142 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	48 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	155 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTMFS3D2N10MD
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTMFS3D2N10MDT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS3D2N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTMFS3D2N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench^® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance R_DS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTMFS3D2N10MD MOSFET features low Q_G and capacitance to minimize driver losses, low Q_RR, soft recovery body diode, and low Q_OSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.