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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
59En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
115En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
105En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
120En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
77En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement