Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

Resultados: 13
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
25 797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
16 702En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
1 831En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
3 359En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
14 927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A
Hoja de datos
2 440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
Hoja de datos
13 309En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 420 A 410 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
747En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
4 230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
Hoja de datos
15 034En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 81 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
Hoja de datos
30 207En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 74 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
Hoja de datos
20 000Se espera el 16/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 280 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
9 681Se espera el 3/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape