Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

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Resultados: 13

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1: ₡1 555,93
25 796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R4S04PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4S04PB,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

₡1 555,93

₡1 002,95

₡683,09

₡558,40

₡522,62

Envase tipo carrete

₡487,92

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

TPHR9203PL1,LQ
Toshiba
1: ₡1 219,81
30 034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR9203PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9203PL1LQ

Toshiba

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₡1 219,81

₡786,10

₡532,38

₡425,04

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Envase tipo carrete

₡335,04

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

320 A

610 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

81 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: ₡1 311,97
17 011En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1R104PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R104PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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₡1 311,97

₡677,67

₡506,90

₡441,84

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Envase tipo carrete

₡391,42

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TKR74F04PB,LXGQ
Toshiba
1: ₡2 710,69
757En existencias

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TKR74F04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TKR74F04PBLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

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Cinta cortada

₡2 710,69

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₡1 404,14

₡1 355,34

Envase tipo carrete

₡1 100,54

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1: ₡1 973,38
1 831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R4F04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4F04PB,LXGQ

Toshiba

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Cinta cortada

₡1 973,38

₡1 279,44

₡905,37

₡737,31

Envase tipo carrete

₡683,09

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1: ₡1 301,13
4 363En existencias

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TPH1R104PB,L1XHQ

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757-TPH1R104PB,L1XHQ

Toshiba

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Cinta cortada

₡1 301,13

₡834,89

₡580,09

₡487,38

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Envase tipo carrete

₡387,63

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1: ₡1 881,22
14 977En existencias

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TK1R5R04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ

Toshiba

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Cinta cortada

₡1 881,22

₡1 230,65

₡932,48

₡780,68

Envase tipo carrete

₡677,67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A

XPJ1R004PB,LXHQ
Toshiba
1: ₡1 062,59
2 440En existencias

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XPJ1R004PB,LXHQ

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757-XPJ1R004PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A

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Cinta cortada

₡1 062,59

₡677,67

₡596,35

₡580,09

₡569,24

Envase tipo carrete

₡558,40

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

TPHR6503PL1,LQ
Toshiba
1: ₡1 588,46
20 799En existencias

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TPHR6503PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR6503PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

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20 799En existencias

Cinta cortada

₡1 588,46

₡1 030,06

₡699,36

₡590,93

₡552,98

Envase tipo carrete

₡552,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

420 A

410 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

TPH1R306PL1,LQ
Toshiba
1: ₡1 702,31
3 653En existencias
5 000Se espera el 17/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

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5 000Se espera el 17/8/2026

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₡769,84

₡650,56

₡607,19

Envase tipo carrete

₡607,19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

280 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

91 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: ₡1 593,88
3 451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR7904PB,L1XHQ

Toshiba

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3 451En existencias

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₡1 030,06

₡704,78

₡574,67

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Envase tipo carrete

₡503,65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

TPH1R204PL1,LQ
Toshiba
1: ₡1 192,70
30 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R204PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R204PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

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30 000En pedido

Cinta cortada

₡1 192,70

₡764,41

₡518,83

₡413,65

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Envase tipo carrete

₡371,36

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

270 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

74 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: ₡1 995,07
9 703Se espera el 25/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPHR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR7904PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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9 703Se espera el 25/5/2026

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₡1 995,07

₡1 301,13

₡932,48

₡758,99

₡731,89

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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