MOSFET de tipo trinchera de canal N BSS138AK

Nexperia BSS138AK N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small surface mount packages. These devices utilize Trench MOSFET technology and are logic-level compatible. The AEC-Q101-qualified BSS138AK MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuit applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138AKS-Q/SOT363/SC-88
Hoja de datos
46En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138AKW-Q/SOT323/SC-70
Hoja de datos
4 273En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138AK-Q/SOT23/TO-236AB
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33 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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14 770En pedido
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Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
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14 999Se espera el 13/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN1412-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape