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PSMN045-100HLX

Name: Nexperia PSMN045-100HLX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN045-100HLX
Price: 1201 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN045-100HLX

Fabricante N.º:

PSMN045-100HLX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21A

Hoja de datos:

PSMN045-100HLX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 201	₡1 201
	₡766	₡7 660
	₡650	₡32 500
	₡510	₡51 000
	₡402	₡201 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡349	₡523 500
	₡269	₡807 000
	₡258	₡1 161 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-56D-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	21 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	45 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	18.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	53 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934665471115

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN045 N-Channel MOSFET

Nexperia PSMN045 N-Channel MOSFET is a dual logic level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (dual power-SO8) package. The Nexperia uses TrenchMOS technology. The device features a high peak drain current IDM and a copper clip with flexible leads.