Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS

DMP2240UWQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡422,87
19 009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2240UWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2240UWQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS

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19 009En existencias

Cinta cortada

₡422,87

₡235,83

₡152,88

₡126,32

Envase tipo carrete

₡85,12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

134 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A

DMP4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 057,17
4 296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4015SSSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4015SSSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A

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Hoja de datos

4 296En existencias

Cinta cortada

₡1 057,17

₡677,67

₡455,40

₡361,06

Envase tipo carrete

₡285,71

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

40 V

10.1 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

1.5 V

47.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.82 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMP6180SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: ₡655,99
92 953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6180SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6180SK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

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92 953En existencias

Cinta cortada

₡655,99

₡409,86

₡269,44

₡208,72

Envase tipo carrete

₡176,74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17.1 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMG1012TQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡157,22
49 396En existencias
81 000Se espera el 22/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMG1012TQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1012TQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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49 396En existencias

81 000Se espera el 22/5/2026

Cinta cortada

₡157,22

₡97,58

₡61,26

₡45,00

₡40,12

Envase tipo carrete

₡33,07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000

: 3 000

SMD/SMT

SOT-523-3

N-Channel

1 Channel

20 V

630 mA

400 mOhms

- 6 V, 6 V

500 mV

736.6 pC

- 55 C

+ 150 C

280 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A

DMP10H400SEQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡596,35
10 850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP10H400SEQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP10H400SEQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A

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10 850En existencias

Cinta cortada

₡596,35

₡374,07

₡245,59

₡189,75

Envase tipo carrete

₡147,46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOT-223-3

P-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

13.7 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V

DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡276,49
72 028En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3098LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3098LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V

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Cinta cortada

₡276,49

₡171,32

₡108,97

₡81,86

₡73,19

Envase tipo carrete

₡65,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.8 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.08 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMP4010SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: ₡872,84
5 238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4010SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4010SK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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5 238En existencias

Cinta cortada

₡872,84

₡552,98

₡353,47

₡301,97

Envase tipo carrete

₡247,76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

14 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

91 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A

2N7002DWQ-7-F
Diodes Incorporated
1: ₡325,28
2 218En existencias
192 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
2N7002DWQ-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-2N7002DWQ-7-F

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A

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2 218En existencias

192 000En pedido

Cinta cortada

₡325,28

₡222,28

₡140,96

₡88,91

₡77,53

Envase tipo carrete

₡68,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

230 mA

7.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

400 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated
1: ₡227,70
5 620En existencias
6 000Se espera el 8/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
2N7002TQ-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-2N7002TQ-7-F

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

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6 000Se espera el 8/2/2027

Cinta cortada

₡227,70

₡139,87

₡88,37

₡65,60

₡58,55

Envase tipo carrete

₡58,55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 270

: 3 000

SMD/SMT

SOT-523-3

N-Channel

1 Channel

60 V

115 mA

13.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA

BSS123WQ-7-F
Diodes Incorporated
1: ₡222,28
3 165En existencias
264 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS123WQ-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-BSS123WQ-7-F

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA

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3 165En existencias

264 000En pedido

Cinta cortada

₡222,28

₡134,45

₡84,03

₡62,35

₡54,21

Envase tipo carrete

₡40,12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9 000

: 3 000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family

BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
1: ₡178,91
204En existencias
18 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS84Q-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-BSS84Q-7-F

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family

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Hoja de datos

204En existencias

18 000En pedido

Cinta cortada

₡178,91

₡116,56

₡73,73

₡53,67

₡47,17

Envase tipo carrete

₡28,19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

50 V

130 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

280 pC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMC1030UFDBQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡601,77
2 903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC1030UFDBQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC1030UFDBQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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Hoja de datos

2 903En existencias

Cinta cortada

₡601,77

₡375,16

₡245,59

₡189,75

₡171,32

Envase tipo carrete

₡148,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

3.9 A, 5.1 A

17 mOhms, 37 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV, 1 V

23.1 nC, 20.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMC4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡834,89
1 659En existencias
7 500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMC4050SSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Hoja de datos

1 659En existencias

7 500En pedido

Cinta cortada

₡834,89

₡521,54

₡342,63

₡269,98

₡251,01

Envase tipo carrete

₡213,06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

5.8 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV, 1.8 V

37.56 nC, 33.66 nC

- 55 C

+ 150 C

2.14 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡184,33
17 232En existencias
21 000Se espera el 25/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMG1013UWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1013UWQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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Hoja de datos

17 232En existencias

21 000Se espera el 25/12/2026

Cinta cortada

₡184,33

₡113,85

₡85,66

₡63,43

Envase tipo carrete

₡48,79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000

: 3 000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

20 V

820 mA

1.5 Ohms

- 6 V, 6 V

1 V

622.4 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMG2305UXQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡276,49
571En existencias
108 000Se espera el 21/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMG2305UXQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG2305UXQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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Hoja de datos

571En existencias

108 000Se espera el 21/10/2026

Cinta cortada

₡276,49

₡167,52

₡105,17

₡78,61

₡66,14

Envase tipo carrete

₡48,79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

52 mOhms

- 8 V, 8 V

500 mV

10.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode

DMG2307LQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡357,81
3 675En existencias
9 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMG2307LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG2307LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode

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Hoja de datos

3 675En existencias

9 000En pedido

Cinta cortada

₡357,81

₡220,11

₡139,87

₡105,17

Envase tipo carrete

₡79,69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.8 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET

DMG6602SVTQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡384,92
1 588En existencias
54 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMG6602SVTQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVTQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET

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Hoja de datos

1 588En existencias

54 000En pedido

Cinta cortada

₡384,92

₡254,26

₡161,01

₡106,80

Envase tipo carrete

₡106,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 790

: 3 000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2.8 A, 3.4 A

100 mOhms, 140 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.3 V

9 nC, 7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡314,44
11 594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG6968UQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG6968UQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

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Hoja de datos

11 594En existencias

Cinta cortada

₡314,44

₡193,54

₡123,61

₡95,42

₡83,49

Envase tipo carrete

₡68,85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.5 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW

DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡563,82
21En existencias
39 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN61D8LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN61D8LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW

Obtenga más información

Hoja de datos

21En existencias

39 000En pedido

Cinta cortada

₡563,82

₡349,68

₡211,43

₡164,27

₡144,21

Envase tipo carrete

₡111,68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

470 mA

1.8 Ohms

- 5 V, 5 V

1.3 V

740 pC

- 55 C

+ 150 C

610 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson

DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
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DMN61D8LVTQ-7

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel

2 Channel

60 V

630 mA

1.1 Ohms

- 12 V, 12 V

1.3 V

740 pC

- 55 C

+ 150 C

1.09 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMN65D8LQ-7
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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

310 mA

3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

870 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LPSQ-13
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

37 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr

MMBF170Q-7-F
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MMBF170Q-7-F

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

500 mA

5 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

2N7002AQ-7
Diodes Incorporated
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2N7002AQ-7

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621-2N7002AQ-7

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

220 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family

BSS138DWQ-7
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BSS138DWQ-7

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621-BSS138DWQ-7

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MouseReel Disponible

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

200 mA

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

500 mV

- 50 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

115 mA
130 mA
170 mA
200 mA
220 mA
230 mA
310 mA
470 mA
500 mA
630 mA
640 mA, 870 mA
820 mA
1.5 A
2.3 A
2.8 A, 3.4 A
3.8 A
3.9 A, 5.1 A
4.2 A
5 A
5.8 A

12 mOhms
14 mOhms
15 mOhms
17 mOhms, 37 mOhms
21 mOhms
25 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
52 mOhms
56 mOhms
60 mOhms
70 mOhms
90 mOhms
100 mOhms, 140 mOhms
134 mOhms
300 mOhms
400 mOhms
400 mOhms, 700 mOhms
1.1 Ohms
1.5 Ohms

280 pC
600 pC
622.4 pC
736.6 pC
736.6 pC, 622.4 pC
740 pC
870 pC
8 nC
8.2 nC
8.5 nC
9 nC, 7 nC
10.2 nC
17 nC
17.1 nC
17.5 nC
22.4 nC
23.1 nC, 20.8 nC
25 nC
33.7 nC
37.56 nC, 33.66 nC

150 mW
200 mW
250 mW
280 mW
300 mW
310 mW
400 mW
530 mW
540 mW
610 mW
810 mW
1.08 W
1.09 W
1.27 W
1.3 W
1.36 W
1.4 W
1.7 W
1.82 W
1.9 W