NCV8406 65V 7.0A Low Side Drivers

onsemi NCV8406 65V 7.0A Low Side Drivers are three-terminal, self-protected smart discrete devices designed to switch various resistive, inductive, and capacitive loads. The NCV8406 Low Side Drivers feature integrated Electrostatic Discharge (ESD) protection and Drain-to-Gate clamping for overvoltage protection. Additional protection features include short circuit protection and thermal shutdown with automatic restart.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65V SMARTFET 37 683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 65 V 7 A 210 mOhms - 14 V, 14 V 2 V - 40 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65V, SMARTFET 12 469En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 65 V 7 A 210 mOhms - 14 V, 14 V 2 V - 40 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65V, SMARTFET 4 509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 65 V 7 A 210 mOhms - 14 V, 14 V 2 V - 40 C + 150 C 1.31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel