N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
Hoja de datos
4 330En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
Hoja de datos
743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Hoja de datos
798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Hoja de datos
457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 290 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 130 W Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel