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FDA38N30

Name: onsemi FDA38N30
Brand: onsemi
SKU: 512-FDA38N30
Price: 2732.37 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDA38N30

Fabricante N.º:

FDA38N30

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UniFET1 300V N-chan MOSFET

Hoja de datos:

FDA38N30 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 732,37	₡2 732,37
	₡1 528,83	₡15 288,30
	₡1 263,18	₡151 581,60
	₡1 149,33	₡586 158,30

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3PN-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	300 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	70 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	60 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Dp - Disipación de potencia :	312 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	UniFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDA38N30
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	4,600 g

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Hoja de datos

FDA38N30 Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.