Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: ₡3 341
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ST8L65N065DM9

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511-ST8L65N065DM9

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STMicroelectronics

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₡3 341

₡2 674

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₡2 674

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Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: ₡4 489
210En existencias
Nuevo producto

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ST8L65N050DM9

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511-ST8L65N050DM9

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Cinta cortada

₡4 489

₡3 167

Envase tipo carrete

₡3 167

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: ₡4 768
300En existencias
Nuevo producto

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STWA60N035M9

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511-STWA60N035M9

Nuevo producto

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₡4 768

₡3 468

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: ₡6 200
931En existencias

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STP60N043DM9

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511-STP60N043DM9

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₡6 200

₡3 497

₡3 231

₡2 946

₡2 941

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N045M9
STMicroelectronics
1: ₡4 681
542En existencias

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STP65N045M9

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511-STP65N045M9

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₡4 681

₡2 604

₡2 395

₡2 071

₡2 065

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH65N050DM9-7AG
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1: ₡5 266
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STH65N050DM9-7AG

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₡3 828

₡3 190

₡2 842

Envase tipo carrete

₡2 535

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 50 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU65N050DM9AG
STMicroelectronics
1: ₡5 510
403En existencias
Nuevo producto

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STHU65N050DM9AG

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511-STHU65N050DM9AG

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Cinta cortada

₡5 510

₡4 095

₡3 410

Envase tipo carrete

₡3 039

₡2 709

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: ₡3 602
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ST8L60N065DM9

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511-ST8L60N065DM9

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Cinta cortada

₡3 602

₡2 761

₡2 233

₡1 984

₡1 699

Envase tipo carrete

₡1 699

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

600 V

39 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: ₡4 425
236En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

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Cinta cortada

₡4 425

₡3 126

₡2 604

₡2 320

₡2 065

Envase tipo carrete

₡2 065

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

44 mOhms

30 V

4.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH60N099DM9-2AG
STMicroelectronics
1: ₡3 364
1 142En existencias
1 000Se espera el 5/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH60N099DM9-2AG

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511-STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics

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1 142En existencias

1 000Se espera el 5/3/2026

Cinta cortada

₡3 364

₡2 349

₡1 902

₡1 688

Envase tipo carrete

₡1 444

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: ₡10 104
531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

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531En existencias

₡10 104

₡6 293

₡6 287

₡6 252

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

95 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: ₡5 493
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

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580En existencias

₡5 493

₡4 083

₡3 405

₡3 033

₡2 703

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N023M9
STMicroelectronics
1: ₡7 215
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N023M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N023M9

STMicroelectronics

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366En existencias

₡7 215

₡4 414

₡4 385

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

95 A

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N045M9
STMicroelectronics
1: ₡5 527
1 195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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1 195En existencias

₡5 527

₡3 260

₡2 755

₡2 500

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

STD65N160M9
STMicroelectronics
1: ₡1 966
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD65N160M9

N.º de artículo de Mouser
511-STD65N160M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

783En existencias

Cinta cortada

₡1 966

₡1 386

₡974

₡853

Envase tipo carrete

₡690

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N150M9
STMicroelectronics
1: ₡2 285
113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N150M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N150M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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113En existencias

₡2 285

₡1 496

₡1 102

₡974

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STWA60N043DM9
STMicroelectronics
1: ₡6 322
82En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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82En existencias

₡6 322

₡4 547

₡4 031

₡3 932

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU60N046DM9AG
STMicroelectronics
1: ₡5 301
600En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU60N046DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU60N046DM9AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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600En pedido

Cinta cortada

₡5 301

₡3 857

₡3 213

Envase tipo carrete

₡2 865

₡2 552

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

600 V

54 A

46 mOhms

30 V

4.5 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N030M9
STMicroelectronics
1: ₡7 378
1 800Se espera el 31/8/2026
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STO60N030M9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N030M9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Cinta cortada

₡7 378

₡5 243

₡4 553

₡4 472

Envase tipo carrete

₡3 677

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N045DM9
STMicroelectronics
1: ₡5 458
1 800Se espera el 26/10/2026
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N.º de artículo del Fabricante
STO60N045DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N045DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

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1 800Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

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₡3 921

₡3 219

₡3 022

₡3 016

Envase tipo carrete

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 800

Reel, Cut Tape

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

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