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SIR870DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR870DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIR870DP-T1-GE3
Price: 1816.16 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

781-SIR870DP-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIR870DP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S)

Hoja de datos:

SIR870DP-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 816,16	₡1 816,16
	₡1 084,27	₡10 842,70
	₡791,52	₡79 152,00
	₡666,83	₡333 415,00
	₡634,30	₡634 300,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡628,88	₡1 886 640,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	84 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	SIR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	38 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	SIR870DP-GE3
Peso de la unidad:	506,600 mg

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SIR870DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiR870DP 100V N-Channel TrenchFET® Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiR870DP 100V N-channel TrenchFET^® Power MOSFET utilizes ThunderFET technology to provide a low on-resistance of 7.8mΩ at 4.5V. Additionally, the SiR870DP also offers a very low on-resistance of 6mΩ at 10V. These Vishay / Siliconix ThunderFET devices also provide a low 208 mΩ-nC figure of merit (FOM) at 4.5V. This low on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. SiR870DP 100V TrenchFET Power MOSFETs are designed for higher frequency and switching applications.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.