ASFET CCPAK para intercambio de datos y arranque suave

Nexperia CCPAK ASFETs for Hotswap and Soft Start offer a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on). The CCPAK ASFETs are designed for carefully controlled in-rush current to protect components on replacement boards inserted into a live system. The devices ensure these always-on systems do not experience any power disruption. The Nexperia CCPAK ASFETs are optimized for strong SOA and low RDS(on) in a single device.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12 104En existencias
Cinta cortada
₡4 481,21
₡2 435,78
₡2 238,00
₡2 201,57
Envase tipo carrete
₡2 081,86
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 235En existencias
Cinta cortada
₡4 361,50
₡2 961,45
₡2 170,34
₡2 123,50
Envase tipo carrete
₡2 009,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1 13En existencias
2 000En pedido
Cinta cortada
₡6 105,06
₡4 340,68
₡3 617,23
₡3 226,89
Envase tipo carrete
₡3 049,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12 31En existencias
1 000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
₡4 262,61
₡2 820,92
₡2 269,23
₡2 024,61
Envase tipo carrete
₡1 806,01
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1 6En existencias
1 000Se espera el 18/11/2026
Cinta cortada
₡4 621,73
₡3 117,59
₡2 524,26
₡2 243,21
Envase tipo carrete
₡2 009,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
2 790Se espera el 3/9/2027
Cinta cortada
₡6 000,97
₡4 340,68
₡3 617,23
₡3 226,89
Envase tipo carrete
₡3 049,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel