ASFET CCPAK para intercambio de datos y arranque suave

Nexperia CCPAK ASFETs for Hotswap and Soft Start offer a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on). The CCPAK ASFETs are designed for carefully controlled in-rush current to protect components on replacement boards inserted into a live system. The devices ensure these always-on systems do not experience any power disruption. The Nexperia CCPAK ASFETs are optimized for strong SOA and low RDS(on) in a single device.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 100V 430A
Hoja de datos
25En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80ASE/SOT800 0A/CCPAK12
Hoja de datos
200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12
Hoja de datos
147En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100ASE/SOT80 00A/CCPAK1
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSE/SOT80 05A/CCPAK1
Hoja de datos
245En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8000 N-CH 80V 495A
Hoja de datos
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2 955Se espera el 11/6/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel