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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 30A N-CH MOSFET
115 500Se espera el 9/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 36.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 18A N-CH MOSFET
33 056En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel