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RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 394 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RF6L025BGTCR

Fabricante N.º:

RF6L025BGTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 60V 2.5A

Hoja de datos:

RF6L025BGTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡394	₡394
	₡243	₡2 430
	₡156	₡15 600
	₡118	₡59 000
	₡106	₡106 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡87,6	₡262 800
	₡80,6	₡483 600
	₡71,9	₡647 100
	₡69	₡1 656 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363T-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	91 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	3.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.3 ns

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RF6L025BGTCR Hoja de datos

Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF6L025BG Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF6L025BG Power MOSFET features 60V drain-source voltage (V_DSS) and ±2.5A continuous drain current (I_D). This N-channel MOSFET offers 91mΩ low on-resistance (R_DS(on)) and power dissipation of 1W (P_D). The RF6L025BG MOSFET operates within the -55°C to 150°C operating junction and storage temperature range and is available in a Halogen-free, small surface mount package (TUMT6 or SOT-363T). This RoHS-compliant device incorporates Pb-free plating. The RF6L025BG power MOSFET is suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.