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SIRA20DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRA20DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA20DP-T1-RE3
Price: 1229.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIRA20DP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIRA20DP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

Hoja de datos:

SIRA20DP-T1-RE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 229,60	₡1 229,60
	₡788,80	₡7 888,00
	₡532,44	₡53 244,00
	₡423,98	₡211 990,00
	₡396,72	₡396 720,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡344,52	₡1 033 560,00
	₡329,44	₡1 976 640,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	580 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	200 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SIR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	506,600 mg

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Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiRA20DP N-Channel 25V MOSFET

Vishay SiRA20DP N-Channel 25V MOSFET features an optimized total gate charge (Q_g), gate-drain charge (Q_gd), and Q_gd/gate-source charge (Q_gs) ratio that reduces switching-related power loss. This TrenchFET® Gen IV device is 100% R_g and UIS tested. Typical applications for Vishay SiRA20DP N-Channel 25V MOSFET include synchronous rectification, high power density DC/DC, synchronous buck converter, OR-ing, load switching, and battery management.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.