Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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138 084En existencias

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SQ1431EH-T1_GE3

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78-SQ1431EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

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Envase tipo carrete

₡115,02

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡556,90
143 250En existencias

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SQ2303ES-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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₡556,90

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₡232,13

₡168,63

₡157,18

Envase tipo carrete

₡133,76

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

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2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: ₡947,25
36 326En existencias

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SQ4431EY-T1_BE3

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78-SQ4431EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

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₡450,72

₡402,32

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₡295,10

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₡253,47

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡478,83
201 463En existencias

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SQ1470AEH-T1_GE3

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78-SQ1470AEH-T1_GE3

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₡219,64

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₡115,02

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡452,80
130 679En existencias

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SQ1912AEEH-T1_GE3

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78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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181 173En existencias

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SQ1912EH-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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₡184,77

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

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- 12 V, 12 V

450 mV

1.15 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡405,96
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SQ1922AEEH-T1_GE3

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78-SQ1922AEEH-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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₡184,77

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₡94,72

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

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- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

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+ 175 C

1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡530,87
171 334En existencias

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SQ3989EV-T1_GE3

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78-SQ3989EV-T1_GE3

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TSOP-6

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2.5 A

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1.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

SQ4064EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 046,14
31 640En existencias

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SQ4064EY-T1_BE3

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78-SQ4064EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

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₡335,18

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 342,80
29 085En existencias

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SQ4153EY-T1_GE3

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78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

₡1 342,80

₡660,99

₡593,33

₡472,06

Envase tipo carrete

₡426,26

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

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- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

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7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4850CEY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡874,38
6 569En existencias

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SQ4850CEY-T1_GE3

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78-SQ4850CEY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡556,90

₡370,05

₡290,94

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Envase tipo carrete

₡237,33

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 2 500

: 2 500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22.3 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡452,80
301 703En existencias

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SQ1922EEH-T1_GE3

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78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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₡206,10

₡181,64

₡138,96

Envase tipo carrete

₡107,22

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

350 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQ4184EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 342,80
29 784En existencias

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SQ4184EY-T1_GE3

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78-SQ4184EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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₡655,79

₡593,33

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₡409,61

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Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 254,32
47 007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡1 254,32

₡614,15

₡551,69

₡436,67

Envase tipo carrete

₡388,27

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡452,80
295 656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1421EDH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

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₡452,80

₡206,10

₡181,64

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₡107,22

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡452,80
308 601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1563AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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308 601En existencias

Cinta cortada

₡452,80

₡206,10

₡181,64

₡138,96

Envase tipo carrete

₡107,22

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

SQ4431EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡947,25
53 423En existencias

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SQ4431EY-T1_GE3

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78-SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡402,32

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₡259,71

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Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V

SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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71 206En existencias

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SQ9407EY-T1_BE3

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78-SQ9407EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V

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Cinta cortada

₡957,66

₡456,45

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Envase tipo carrete

₡257,63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

60 V

4.6 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

26.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 217,89
24 733En existencias

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SQ4961EY-T1_GE3

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78-SQ4961EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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₡593,33

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₡372,65

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

4.4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

850 mA

210 mOhms, 788 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.6 V

1.4 nC, 1.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

3.9 A

130 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4940CEY-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.2 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3419AEEV-T1_BE3
Vishay / Siliconix
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SQ3419AEEV-T1_BE3

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

61 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

8.4 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W