Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 457,30 5 738En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6R025BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R025BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	5 738En existencias	Cinta cortada ₡1 457,30 ₡723,45 ₡645,38 ₡519,42 ₡486,64 Envase tipo carrete ₡460,09	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	25 A	60 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 431,28 4 914En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6P040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6P040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	4 914En existencias	Cinta cortada ₡1 431,28 ₡707,83 ₡634,97 ₡507,97 ₡492,36 Envase tipo carrete ₡441,88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	100 V	40 A	15.6 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 295,96 3 000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3 000En existencias	Cinta cortada ₡1 295,96 ₡629,76 ₡567,31 ₡452,28 ₡438,75 Envase tipo carrete ₡388,79	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.5 mOhms	20 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A RH6R040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 176,25 2 970En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6R040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2 970En existencias	Cinta cortada ₡1 176,25 ₡572,51 ₡510,06 ₡405,96 ₡391,39 Envase tipo carrete ₡341,43	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	40 A	38 mOhms	20 V	4 V	11.3 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CGTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 119,00 1 668En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CGTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1 668En existencias	Cinta cortada ₡1 119,00 ₡541,28 ₡484,03 ₡384,62 ₡368,49 Envase tipo carrete ₡319,57	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.4 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET RH6E040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 243,91 2 680En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6E040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6E040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2 680En existencias	Cinta cortada ₡1 243,91 ₡603,74 ₡541,28 ₡431,99 ₡419,50 Envase tipo carrete ₡367,97	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	2.9 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) RH6N040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 275,14 2 819En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6N040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6N040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2 819En existencias	Cinta cortada ₡1 275,14 ₡624,56 ₡562,10 ₡445,52 ₡431,47 Envase tipo carrete ₡382,02	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	80 V	65 A	8.3 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 556,19 3 162En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6L040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6L040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3 162En existencias	Cinta cortada ₡1 556,19 ₡770,29 ₡697,42 ₡562,10 ₡546,49 Envase tipo carrete ₡502,25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	60 V	65 A	7.1 mOhms	20 V	2.5 V	18.8 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: ₡1 457,30 1 675En existencias 3 000Se espera el 16/3/2027	N.º de artículo del Fabricante RH6G040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1 675En existencias 3 000Se espera el 16/3/2027	Cinta cortada ₡1 457,30 ₡827,54 ₡640,17 ₡541,28 ₡499,65 Envase tipo carrete ₡435,11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	95 A	3.6 mOhms	20 V	2.5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

RH6 N-Channel Power MOSFETs

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