RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4 957En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 15.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH
Hoja de datos
5 859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A
Hoja de datos
2 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.4 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A
Hoja de datos
2 384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 38 mOhms 20 V 4 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A
Hoja de datos
3 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
Hoja de datos
2 960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
Hoja de datos
2 980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A
Hoja de datos
1 121En existencias
3 000Se espera el 3/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 65 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.8 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A
Hoja de datos
5 985Se espera el 19/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel