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QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 38956.84 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD0020TR7

Fabricante N.º:

QPD0020TR7

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Hoja de datos:

QPD0020TR7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡38 956,84	₡38 956,84
	₡38 566,49	₡385 664,90
	₡30 291,09	₡757 277,25
	₡23 899,77	₡2 389 977,00
	₡21 344,29	₡5 336 072,50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	₡21 287,03	₡10 643 515,00
1 000	Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

QPD0020

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡35 761,18

Mín.:

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Fabricante:

Qorvo

Fabricante N.º:

QPD0020

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

Ciclo de vida:

Disponibilidad restringida: Este número de pieza no se encuentra disponible actualmente en Mouser. El producto puede estar en distribución limitada o en un pedido especial de fábrica.

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-20
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD0020EVB02
Ganancia:	16.7 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	2.69 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.62 GHz
Potencia de salida:	34.7 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0020
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de las piezas n.º:	QPD0020

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Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.