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FGB5065G2-F085

Name: onsemi FGB5065G2-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FGB5065G2-F085
Price: 4269 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FGB5065G2-F085

Fabricante N.º:

FGB5065G2-F085

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 (HV/HE)

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

FGB5065G2-F085 Hoja de datos (PDF)

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	₡4 269	₡4 269
	₡4 182	₡418 200
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡1 984	₡1 587 200

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	685 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.56 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	78 A
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FGB5065G2-F085
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	IGBTs

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PCN

Product Change Notification 2025-12-19 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT HV-HE EcoSPARK® 2 FGB5065G2-F085

onsemi FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) is a 650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications. The AEC-Q101 qualified FGB5065G2-F085 operates within a -55°C to +175°C temperature range and offers 500mJ SCIS energy at +25°C. Applications include high-current systems, PTC heater circuits, automotive, and other rugged applications.