Módulos híbridos Si/SiC NXH450B100H4Q2

Los módulos híbridos Si/SiC NXH450B100H4Q2 de onsemi  incluyen dos IGBT de 1000 V 150 A, dos diodos SiC de 1200 V, dos diodos SiC de 30 A y dos diodos de derivación de 1600 V 30 A y un termistor NTC. Estos módulos híbridos Si/SiC cuentan con bajo nivel de pérdida de conmutación, una menor disipación de potencia del sistema, bajo diseño inductivo, ajuste a presión y opciones de pines de soldadura. Los módulos híbridos NXH450B100H4Q2 ofrecen -40°C a 125°C en el rango de temperatura de almacenamiento y -40°C a 125°C en el rango de temperatura de funcionamiento en condiciones de conmutación. Estos módulos híbridos Si/SiC se utilizan preferentemente en inversores solares y fuentes de alimentación ininterrumpida.