NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs

onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs provide higher voltage operation, wider temperature ranges, and increased switching frequencies when compared to existing Si technology. These MOSFETs offer low effective output capacitance and ultra-low gate charge, resulting in lower switching losses and higher switching speed capabilities. onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs are 100% UIS tested and are AEC-Q101 qualified.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
onsemi MOSFETs de SiC T2PAK SIC 650V M2
Hoja de datos
560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 148 A 23 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 250 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC T2PAK SIC 650V M2
Hoja de datos
800Se espera el 20/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 180 A 18 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 256 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement