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NVMFS4C306NT1G

Name: onsemi NVMFS4C306NT1G
Brand: onsemi
SKU: 698-NVMFS4C306NT1G
Price: 1415.67 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

698-NVMFS4C306NT1G

Fabricante N.º:

NVMFS4C306NT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

NVMFS4C306NT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	11.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	58 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	NVMFS4C306N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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Hoja de datos

NVMFS4C306NT1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFS4C306N Power MOSFETs

onsemi NVMFS4C306N Power MOSFETs offer 30V drain-to-source voltage, 3.4mΩ R_DS(ON), and 71A continuous drain current. The automotive power MOSFET is available in a 5mm x 6mm flat lead SO8-FL package developed for compact and efficient designs.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Obtenga más información

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Obtenga más información

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Obtenga más información

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Obtenga más información

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Obtenga más información

En existencias: 1 425

Existencias:: 1 425 Se puede enviar inmediatamente

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Plazo de entrega de fábrica:: 31 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 415,67	₡1 415,67
	₡910,81	₡9 108,10
	₡619,35	₡61 935,00
	₡525,67	₡262 835,00
	₡465,82	₡465 820,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡440,31	₡660 465,00
	₡418,45	₡1 255 350,00

NVMFS4C306NT1G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH

Especificaciones

Documentos (3)

Hoja de datos

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

NVMFS4C306N Power MOSFETs

PRODUCTOS DESTACADOS ONSEMI

En existencias: 1 425

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onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI