DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1 800En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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40En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
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1 946En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 44 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
2 346En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A
Hoja de datos
2 415En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
1 999En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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9En existencias
5 000Se espera el 17/4/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 14.1 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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553En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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414En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 98 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36.3 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A
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1 502En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF
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2 952En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13 A 6.5 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 22.4 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
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1 904En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
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2 498En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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2 410En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.3 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V
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4 868En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A
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2 500En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V
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1 121En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 130.8 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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1 498En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2 744En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.3 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2 485En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.9 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.67 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2 515En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A
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2 466En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 500 mV 18.9 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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4 391En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 9.2 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2 434En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 98.4 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson
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2 363En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel