DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC 960En existencias
3 000Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC 606En existencias
6 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2 298En existencias
20 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-UX-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 18.9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2 944En existencias
12 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 9.2 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 500 mV 18.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 242En existencias
2 500Se espera el 19/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 558En existencias
10 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 620
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 9.2 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1 833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 32En existencias
6 000Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel 2 Channel 60 V 8.8 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.9 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 9En existencias
5 000Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 14.1 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 2 257En existencias
2 500Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 28.9 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 31.8 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 411En existencias
2 000Se espera el 19/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 45 A 9.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 33.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF 2 870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 1 152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 1 713En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.7 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 114 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V 93En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 111.7 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 108 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 261En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 65En existencias
2 500Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2 721En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K 488En existencias
2 500Se espera el 20/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 46.3 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.4 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 240 A 1.6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1 421En existencias
2 500Se espera el 15/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 2.2 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 68 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel