DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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1 976En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.7 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V
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51En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 111.7 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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65En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 108 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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332En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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187En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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782En existencias
2 500Se espera el 30/3/2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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3 008En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
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518En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 46.3 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.4 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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1 771En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 240 A 1.6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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1 463En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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1 695En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 2.2 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 68 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
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548En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
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43En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A
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428En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A
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1 592En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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453En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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77En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1 143En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1 031En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 43.6 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.2 nC - 55 C + 175 C 42.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V
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872En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
Hoja de datos
1 668En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 49 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263
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750En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 4.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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1 327En existencias
2 500Se espera el 15/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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689En existencias
5 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 2 Channel 60 V 47.6 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 40.2 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36.3 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube