Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6010SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: ₡905
1 306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010SK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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1 306En existencias

Cinta cortada

₡905

₡626

₡423

₡345

₡316

Envase tipo carrete

₡293

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

16.3 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38.1 nC

- 55 C

+ 175 C

59 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LFVWQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡476
3 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LFVWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFVWQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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3 000En existencias

Cinta cortada

₡476

₡300

₡195

₡150

Envase tipo carrete

₡110

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 175 C

2.38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LFVWQ-7
Diodes Incorporated
1: ₡452
477En existencias
2 000Se espera el 17/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LFVWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFVWQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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477En existencias

2 000Se espera el 17/6/2026

Cinta cortada

₡452

₡300

₡195

₡150

Envase tipo carrete

₡123

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 175 C

2.38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMTH6016LPD-13
Diodes Incorporated
1: ₡887
1 796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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1 796En existencias

Cinta cortada

₡887

₡567

₡382

₡305

₡277

Envase tipo carrete

₡252

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerDI5060-8

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60 V

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1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LPDQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡719
2 458En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LPDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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2 458En existencias

Cinta cortada

₡719

₡474

₡314

₡245

₡222

Envase tipo carrete

₡192

MouseReel Disponible

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Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

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2 Channel

60 V

33.2 A

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37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡412
2 920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Cinta cortada

₡412

₡314

₡208

₡160

Envase tipo carrete

₡122

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

37.1 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

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+ 175 C

37.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡505
6 919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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6 919En existencias

Cinta cortada

₡505

₡316

₡205

₡157

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₡121

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MouseReel Disponible

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Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

37 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMTH8012LK3-13
Diodes Incorporated
1: ₡812
2 775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8012LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

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2 775En existencias

Cinta cortada

₡812

₡521

₡351

₡280

Envase tipo carrete

₡264

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

12.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH8012LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡551
2 902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8012LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

2 902En existencias

Cinta cortada

₡551

₡367

₡283

₡264

₡244

Envase tipo carrete

₡218

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

10 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

46.8 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V

DMTH8012LPSW-13
Diodes Incorporated
1: ₡754
1 033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8012LPSW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LPSW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

1 033En existencias

Cinta cortada

₡754

₡489

₡328

₡262

₡238

Envase tipo carrete

₡204

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

53.7 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V-40V

DMT4002LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 241
555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4002LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4002LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V-40V

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555En existencias

Cinta cortada

₡1 241

₡800

₡539

₡430

₡403

Envase tipo carrete

₡383

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

116.1 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH4005SK3-13
Diodes Incorporated
1: ₡673
1 826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4005SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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Hoja de datos

1 826En existencias

Cinta cortada

₡673

₡568

₡445

Envase tipo carrete

₡178

₡176

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

DMTH6004LPS-13
Diodes Incorporated
1: ₡1 270
620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

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Hoja de datos

620En existencias

Cinta cortada

₡1 270

₡876

₡621

₡496

₡481

Envase tipo carrete

₡456

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

22 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

96.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LFDF-7
Diodes Incorporated
1: ₡302
42 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

Hoja de datos

42 000En pedido

Cinta cortada

₡302

₡244

₡209

₡160

Envase tipo carrete

₡114

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

8.9 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A

DMTH4005SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡893
5 000Se espera el 27/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4005SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A

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Hoja de datos

5 000Se espera el 27/3/2026

Cinta cortada

₡893

₡565

₡376

₡296

₡270

Envase tipo carrete

₡242

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20.9 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K

DMTH4008LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
1: ₡487
10 000Se espera el 1/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4008LFDFWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LFDFWQ13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K

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Hoja de datos

10 000Se espera el 1/6/2026

Cinta cortada

₡487

₡302

₡195

₡150

Ver

Envase tipo carrete

₡104

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10 000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

40 V

11.6 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

14.2 nC

- 55 C

+ 175 C

2.35 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LK3-13
Diodes Incorporated
1: ₡348
29 680En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

29 680En pedido

Cinta cortada

₡348

₡258

₡181

₡138

Envase tipo carrete

₡106

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

10.8 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMTH3004LFG-7
Diodes Incorporated
1: ₡394
2 000Se espera el 13/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3004LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3004LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

2 000Se espera el 13/7/2026

Cinta cortada

₡394

₡245

₡157

₡119

Envase tipo carrete

₡92,8

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3003LFG-13
Diodes Incorporated
3 000: ₡174
9 000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3003LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3003LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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9 000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

₡174

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3004LFG-7
Diodes Incorporated
1: ₡742
2 000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3004LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3004LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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2 000Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

₡742

₡468

₡310

₡255

Envase tipo carrete

₡197

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 000

PowerDI3333-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LDV-13
Diodes Incorporated
3 000: ₡148
12 000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LDV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LDV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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12 000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

₡148

₡146

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Carrete: 3 000

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFG-13
Diodes Incorporated
3 000: ₡173
3 000Existencias en fábrica disponibles

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DMT3006LFG-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFVQ-13
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DMT3006LFVQ-13

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621-DMT3006LFVQ-13

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N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LFG-13
Diodes Incorporated
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DMT6005LFG-13

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621-DMT6005LFG-13

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N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LFG-7
Diodes Incorporated
2 000: ₡222
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DMT6005LFG-7

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621-DMT6005LFG-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W