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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
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1 494En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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695En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
1 021En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
102En existencias
Min.: 1
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
322En existencias
Min.: 1
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
839En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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5En existencias
450Se espera el 12/3/2026
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
92En existencias
450Se espera el 20/5/2026
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
24En existencias
1 350En pedido
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1 197En pedido
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ROHM Semiconductor Herramientas de desarrollo de administración de IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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