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BSS138WT106

Name: ROHM Semiconductor BSS138WT106
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSS138WT106
Price: 197.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BSS138WT106

Fabricante N.º:

BSS138WT106

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMT3M C-CH 60V 310MA

Hoja de datos:

BSS138WT106 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Se espera el 3/6/2026

3 000

Se espera el 26/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 16

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡197,20	₡197,20
	₡120,06	₡1 200,60
	₡90,48	₡9 048,00
	₡62,64	₡31 320,00
	₡52,20	₡52 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡41,18	₡123 540,00
	₡35,96	₡215 760,00
	₡31,32	₡281 880,00
	₡29,58	₡709 920,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	310 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.4 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	300 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	250 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.5 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS138W

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USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

BSS138W Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor BSS138W Small Signal MOSFET is an N-ch, 60V, 310mA Small Signal MOSFET in a SOT-323 package. The BSS138W provides an ultra-low 2.5V drive and very fast switching. The ROHM BSS138W is ideal for switching circuits, low-side load switches, and relay drivers.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.