Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: ₡1 935,43
3 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Cinta cortada

₡1 935,43

₡1 263,18

₡878,26

₡715,62

₡655,99

Envase tipo carrete

₡655,99

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: ₡1 311,97
2 494En existencias

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NTMFS1D1N04XMT1G

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863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

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2 494En existencias

Cinta cortada

₡1 311,97

₡840,31

₡574,67

₡458,65

₡387,63

Envase tipo carrete

₡387,63

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: ₡1 854,11
4 080En existencias
13 500En pedido

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NTMFS2D1N08XT1G

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863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

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13 500En pedido

Cinta cortada

₡1 854,11

₡1 208,97

₡834,89

₡704,78

₡607,19

Envase tipo carrete

₡607,19

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 040

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: ₡856,58
5 932En existencias

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NTMFS2D3N04XMT1G

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863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

₡856,58

₡547,56

₡362,15

₡285,16

₡264,56

Envase tipo carrete

₡252,64

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: ₡2 201,08
102En existencias
6 000En pedido

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NTMFS0D4N04XMT1G

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863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

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6 000En pedido

Cinta cortada

₡2 201,08

₡1 436,66

₡1 057,17

Envase tipo carrete

₡1 057,17

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
1: ₡1 452,93
180En existencias
16 500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

₡1 452,93

₡932,48

₡645,14

₡504,19

₡432,63

Envase tipo carrete

₡432,63

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

72.1 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: ₡1 160,17
495En existencias
1 500Se espera el 12/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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1 500Se espera el 12/3/2027

Cinta cortada

₡1 160,17

₡742,73

₡500,39

₡397,39

₡325,28

Envase tipo carrete

₡325,28

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: ₡1 680,63
147En existencias
16 500En pedido

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NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Cinta cortada

₡1 680,63

₡1 084,27

₡753,57

₡628,88

₡529,13

Envase tipo carrete

₡529,13

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: ₡829,47
667En existencias
1 500Se espera el 3/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

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1 500Se espera el 3/7/2026

Cinta cortada

₡829,47

₡521,54

₡346,43

₡271,07

₡219,02

Envase tipo carrete

₡203,84

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
1: ₡2 531,78
2 304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

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Hoja de datos

2 304En existencias

Cinta cortada

₡2 531,78

₡1 669,78

₡1 181,86

₡1 013,80

₡992,11

Envase tipo carrete

₡948,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

155 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

NTTFS012N10MDTAG
onsemi
1: ₡1 290,29
8 055En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS012N10MDTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS012N10MDTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

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Hoja de datos

8 055En existencias

Cinta cortada

₡1 290,29

₡829,47

₡563,82

₡447,26

₡375,70

Envase tipo carrete

₡375,70

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

WDFN-8

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: ₡1 821,58
86En existencias
4 500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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86En existencias

4 500En pedido

Cinta cortada

₡1 821,58

₡1 187,28

₡818,63

₡677,67

₡596,35

Envase tipo carrete

₡596,35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: ₡1 301,13
20En existencias
3 000Se espera el 31/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

20En existencias

3 000Se espera el 31/3/2027

Cinta cortada

₡1 301,13

₡845,73

₡552,98

₡443,47

₡367,57

Envase tipo carrete

₡367,57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: ₡1 046,33
8En existencias
10 500Se espera el 13/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

8En existencias

10 500Se espera el 13/11/2026

Cinta cortada

₡1 046,33

₡666,83

₡449,97

₡356,73

₡339,92

Envase tipo carrete

₡310,10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: ₡4 326,26
17 550En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

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Hoja de datos

17 550En pedido

Cinta cortada

₡4 326,26

₡2 932,96

₡2 260,71

₡2 076,39

Envase tipo carrete

₡1 935,43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: ₡1 539,67
14 993En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

14 993En pedido

Cinta cortada

₡1 539,67

₡992,11

₡677,67

₡547,56

₡476,54

Envase tipo carrete

₡476,54

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: ₡2 184,81
5 877En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Hoja de datos

5 877En pedido

Cinta cortada

₡2 184,81

₡1 431,24

₡1 030,06

₡878,26

₡775,26

Envase tipo carrete

₡775,26

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: ₡1 967,96
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Cinta cortada

₡1 967,96

₡1 263,18

₡997,53

₡780,68

₡661,41

Envase tipo carrete

₡661,41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tecnología PowerTrench

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