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FM25V01A-G

Name: Infineon FM25V01A-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-FM25V01A-G
Price: 3312.46 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-FM25V01A-G

Fabricante N.º:

FM25V01A-G

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

F-RAM FRAM

Hoja de datos:

FM25V01A-G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 312,46	₡3 312,46
	₡3 084,76	₡30 847,60
	₡2 992,60	₡74 815,00
	₡2 781,16	₡139 058,00
	₡2 710,69	₡271 069,00
	₡2 661,89	₡665 472,50
	₡2 596,84	₡1 298 420,00
	₡2 531,78	₡2 455 826,60

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

FM25V01A-GTR

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡3 263,67

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	128 kbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	25 MHz, 40 MHz
Organización:	16 k x 8
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	2 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	TH
País de difusión:	US
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	970
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	540 mg

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Hoja de datos

FM25V01A-G Hoja de datos (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

FM25V01A 128-Kbit Serial (SPI) F-RAM

Infineon Technologies FM25V01A 128-Kbit Serial (SPI) F-RAM is a nonvolatile memory that uses a highly advanced ferroelectric process. FM25V01A is similar to RAM in performance and provides data retention for 151 years. F-RAM provides write operations at high speeds and has a very fast serial peripheral interface (SPI). This feature enhances the high-speed write capability of F-RAM technology. It consumes low power and has a voltage operation of 2V to 3.6V. The Infineon FM25V01A can support 100 million times more write cycles than EEPROM.