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FM25V01A-G

Name: Infineon FM25V01A-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-FM25V01A-G
Price: 3109 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-FM25V01A-G

Fabricante N.º:

FM25V01A-G

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

F-RAM FRAM

Hoja de datos:

FM25V01A-G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 109	₡3 109
	₡2 854	₡28 540
	₡2 772	₡69 300
	₡2 639	₡131 950
	₡2 610	₡261 000
	₡2 245	₡6 532 950

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

FM25V01A-GTR

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡3 010

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	128 kbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	25 MHz, 40 MHz
Organización:	16 k x 8
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	2 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	970
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	540 mg

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Hoja de datos

FM25V01A-G Hoja de datos (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

FM25V01A 128-Kbit Serial (SPI) F-RAM

Infineon Technologies FM25V01A 128-Kbit Serial (SPI) F-RAM is a nonvolatile memory that uses a highly advanced ferroelectric process. FM25V01A is similar to RAM in performance and provides data retention for 151 years. F-RAM provides write operations at high speeds and has a very fast serial peripheral interface (SPI). This feature enhances the high-speed write capability of F-RAM technology. It consumes low power and has a voltage operation of 2V to 3.6V. The Infineon FM25V01A can support 100 million times more write cycles than EEPROM.