Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low RDS(on) and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 38
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG
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23 236En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 120 V 93 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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3 000En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 258 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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5 445En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 103 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX
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2 046En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 670 uOhms - 16 V, 20 V 4 V 148 nC - 55 C + 175 C 180.7 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO
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800En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 342 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 139 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX
Hoja de datos
1 543En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.21 mOhms - 16 V, 20 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET
Hoja de datos
3 281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTMFS0D6N03CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
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4 334En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 433 A 620 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG
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1 183En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 120 V 79 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL
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973En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMTS6D0N15MC
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL
Hoja de datos
2 960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 135 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 58 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
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2 281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 61.3 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.5MO
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1 375En existencias
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 267 A 1.62 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 78.6 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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1 472En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 262 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 103 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
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5 825En existencias
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Min.: 1
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: 3 000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE
Hoja de datos
1 190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 241.3 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 237.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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9 670En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 2.0 MOHMS MAX
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1 251En existencias
3 000Se espera el 11/12/2026
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT TDFNW-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 89 nC - 55 C + 175 C 255 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTBGS004N10G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
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508En existencias
Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 178 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTMTS1D6N10MCTXG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 1.6 MOHMS MAX
Hoja de datos
997En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 106 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMTS4D3N15MC
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
Hoja de datos
2 677En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 165 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 292 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.9 MOHMS MAX
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191En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 159.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
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146En existencias
1 500Se espera el 24/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 337 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
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8En existencias
10 500Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE
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1 668En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape