Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low RDS(on) and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 38
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 120V Single N channel 93A, 6m Ohm in Power56 package
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23 831En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 120 V 93 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMTS4D3N15MC
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 150V, 165A, 4.45mohm
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4 085En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 165 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 292 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 0.67 mohm, 240 A
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2 167En existencias
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Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 670 uOhms - 16 V, 20 V 4 V 148 nC - 55 C + 175 C 180.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 12 MOHMS MAX
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1 543En existencias
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Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.21 mOhms - 16 V, 20 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm, PQFN 8x8
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2 953En existencias
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Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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5 653En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 103 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS0D6N03CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
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4 334En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 433 A 620 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.7 mohm?, 203 A
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3 281En existencias
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Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm
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1 194En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 120 V 79 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
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1 009En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMTS6D0N15MC
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 150V, 135A, 6.4mohm, PQFN 8x8
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2 960En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 135 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 58 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
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4 632En existencias
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
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2 382En existencias
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 61.3 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTMTSC1D6N10MCTXG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 100V, 367A, 1.7mohm
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6 348En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 267 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 106 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 60 V, 1.62 mohm, 267 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.5 m?, 294 A, Single N-Channel, D2PAK7
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1 943En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 267 A 1.62 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 78.6 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 150V Single N channel 41.9A, 22m Ohm in Power56 package
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1 660En existencias
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Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 41.9 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 80.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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1 570En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 262 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 103 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 150V, 174A, 4.45mohm
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1 174En existencias
3 000Se espera el 9/10/2026
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Si SMD/SMT Dual Cool 88-8 N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A
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1 636En existencias
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Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 241.3 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 237.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
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9 141En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 105 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 100V, 236A, 2.0mohm
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3 077En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TDFNW-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 89 nC - 55 C + 175 C 255 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTBGS004N10G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 203 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK 7L
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680En existencias
Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 178 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NTMTS1D6N10MCTXG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm, PQFN 8x8
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2 062En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 106 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTTFS022N15MC
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N Channel, 150V, 37.2 A, 22m?ohm
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1 899En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 47.2 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 71.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 09 MOHMS MAX
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217En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2 000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 159.6 W Enhancement Reel, Cut Tape