SCT4018KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KW7TL
SCT4018KW7TL

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
1 Channel
1.2 kV
75 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 22 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 21 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13 ns
Alias de las piezas n.º: SCT4018KW7
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET offers low on-resistance and a fast switching speed. The SCT4018KW7 is simple to drive and easy to parallel. The device also features lead-free lead plating and is RoHS compliant. ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET is suitable for solar inverters, induction heating, switch mode power supplies, DC/DC converters, and motor drives.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

En existencias: 1 135

Existencias:
1 135 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 1135 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡16 155,25 ₡16 155,25
₡12 293,39 ₡122 933,90
₡11 658,42 ₡1 165 842,00
₡11 226,44 ₡5 613 220,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
₡10 247,96 ₡10 247 960,00
2 000 Presupuesto
† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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