Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

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Resultados: 59

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Cinta cortada

₡487

₡387

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₡334

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD90P03E-AU_L2_006A1
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₡725

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PJQ4431EP-AU_R2_002A1
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PJQ4431EP-AU_R2_002A1

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241-PJQ4431EP-AUR22A

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₡417

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30 V

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2.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4453EP-AU_R2_002A1
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PJQ4453EP-AU_R2_002A1

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241-PJQ4453EP-AUR22A

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₡632

₡395

₡259

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Envase tipo carrete

₡188

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Min.: 1
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DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4546VP-AU_R2_002A1
Panjit
1: ₡592
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1

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₡592

₡368

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₡191

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5449E-AU_R2_006A1
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1: ₡940
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PJQ5449E-AU_R2_006A1

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241-PJQ5449E-AUR26A1

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2 598En existencias

Cinta cortada

₡940

₡597

₡397

₡392

₡368

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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2.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5540-AU_R2_002A1
Panjit
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PJQ5540-AU_R2_002A1

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241-PJQ5540-AUR202A1

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2 874En existencias

Cinta cortada

₡1 195

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5540V-AU_R2_002A1
Panjit
1: ₡1 195
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PJQ5540V-AU_R2_002A1

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241-PJQ5540V-AUR22A1

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Cinta cortada

₡1 195

₡766

₡518

₡508

Envase tipo carrete

₡508

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SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5542-AU_R2_002A1
Panjit
1: ₡1 021
2 488En existencias

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PJQ5542-AU_R2_002A1

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241-PJQ5542AUR2002A1

Panjit

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2 488En existencias

Cinta cortada

₡1 021

₡650

₡436

₡400

Envase tipo carrete

₡375

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

136 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

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+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5542V-AU_R2_002A1
Panjit
1: ₡951
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PJQ5542V-AU_R2_002A1

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2 994En existencias

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₡603

₡403

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₡382

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SMD/SMT

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1 Channel

40 V

136 A

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Panjit
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PJQ5544V-AU_R2_002A1

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Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2 800En existencias

Cinta cortada

₡858

₡541

₡360

₡340

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₡340

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

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- 20 V, 20 V

3.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5948V-AU_R2_002A1
Panjit
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PJQ5948V-AU_R2_002A1

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241-PJQ5948VAUR202A1

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N-Channel

2 Channel

40 V

35 A

13.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

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32 W

Enhancement

AEC-Q101

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68 A

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2.5 V

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65 W

Enhancement

AEC-Q101

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- 25 V, 25 V

2.5 V

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DFN-3333-8

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- 25 V, 25 V

2.5 V

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Carrete: 5 000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

19.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

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30 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

40V Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
3.1 A
4.3 A
9 A
16 A
21 A
35 A
37 A
40 A
41 A
42 A
43 A
45 A
48 A
50 A
55 A
60 A
61 A
64 A
67 A

1.88 mOhms
2.1 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms
5.6 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.8 mOhms
9.1 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms

4.4 nC
4.8 nC
6 nC
7.3 nC
8.3 nC
9.5 nC
10 nC
13 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
32 nC
34 nC
41 nC
43 nC
50 nC
54 nC
56 nC
59 nC

1.25 W
2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
22 W
25 W
30 W
32 W
36 W
41 W
42 W
43 W
43.2 W
54 W
63 W
64.9 W
65 W
68 W
71 W