Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMP050N10NS2_T0_00601
Panjit
1: ₡1 446,89
1 555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMP050N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP050N10NS2T06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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Hoja de datos

1 555En existencias

₡1 446,89

₡713,04

₡634,97

₡567,31

₡514,74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET

PSMQC040N10NS2_R2_00601
Panjit
1: ₡1 400,05
5 863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC040N10NS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMQC040N10NS2R2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET

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5 863En existencias

Cinta cortada

₡1 400,05

₡900,41

₡619,35

₡494,44

Envase tipo carrete

₡493,92

₡492,36

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

122 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET

PSMB055N08NS1_R2_00601
Panjit
1: ₡1 134,61
1 039En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMB055N08NS1_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB055N08NR2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET

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1 039En existencias

Cinta cortada

₡1 134,61

₡843,15

₡577,72

₡415,33

Envase tipo carrete

₡386,71

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

108 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.75 V

65.8 nC

- 55 C

+ 150 C

113.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L

PSMP033N10NS2_T0_00601
Panjit
1: ₡1 925,72
1 975En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMP033N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP033N1T000601

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L

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1 975En existencias

₡1 925,72

₡973,27

₡874,38

₡713,04

₡692,22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

219 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

PSMB033N10NS2_R2_00201
Panjit
1: ₡2 633,55
2 202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMB033N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB033N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

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2 202En existencias

Cinta cortada

₡2 633,55

₡1 363,62

₡1 238,71

₡1 171,05

Envase tipo carrete

₡1 056,54

₡1 009,70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

Through Hole

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

100 V

219 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡765,08
6 238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC280N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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6 238En existencias

Cinta cortada

₡765,08

₡469,46

₡309,16

₡243,06

₡207,67

Envase tipo carrete

₡156,14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

21 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

29.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMB050N10NS2_R2_00601
Panjit
1: ₡1 410,46
358En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PSMB050N10NS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMB050N10NS2R26

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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800En pedido

Cinta cortada

₡1 410,46

₡697,42

₡624,56

₡614,15

Envase tipo carrete

₡614,15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter

PSMQC040N08NS2_R2_00201
Panjit
1: ₡1 431,28
5 762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC040N08NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC040N08NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter

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5 762En existencias

Cinta cortada

₡1 431,28

₡926,43

₡634,97

₡515,26

₡478,31

Envase tipo carrete

₡446,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

102 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡1 436,48
5 649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC042N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC042N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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Cinta cortada

₡1 436,48

₡926,43

₡634,97

Envase tipo carrete

₡634,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡978,47
4 379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC078N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC078N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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4 379En existencias

Cinta cortada

₡978,47

₡624,56

₡416,89

₡334,66

Envase tipo carrete

₡334,66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

63 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC094N10NS2_R2_00201
Panjit
1: ₡869,18
6 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC094N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC094N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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6 000En existencias

Cinta cortada

₡869,18

₡551,69

₡367,45

₡322,17

₡308,12

Envase tipo carrete

₡304,99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

61 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

PSMQC098N10LS2_R2_00201
Panjit
1: ₡843,15
5 990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC098N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC098N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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5 990En existencias

Cinta cortada

₡843,15

₡536,08

₡354,44

₡297,71

Envase tipo carrete

₡297,71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: ₡1 264,73
1 608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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1 608En existencias

Cinta cortada

₡1 264,73

₡811,93

₡556,90

₡467,90

₡414,29

Envase tipo carrete

₡372,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

64 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET

PSMB032N08NS1_R2_00601
Panjit
1: ₡1 374,03
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMB032N08NS1_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB032N08NR2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

Cinta cortada

₡1 374,03

₡884,79

₡608,94

₡450,20

Envase tipo carrete

₡417,93

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

161 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.75 V

103.5 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/8.1mO / TO-252AA

PSMD081N10LS2_L2_00601
Panjit
3 000: ₡250,34
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMD081N10LS2_L2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMD081N1L200601

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/8.1mO / TO-252AA

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

₡250,34

₡244,10

Min.: 3 000
Mult.: 3 000

: 3 000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

76 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
Panjit
2 000: ₡2 357,71
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN015N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

₡2 357,71

Min.: 2 000
Mult.: 2 000

: 2 000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

PSMN028N10NS2_R2_00201
Panjit
2 000: ₡1 228,30
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN028N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN028N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

₡1 228,30

Min.: 2 000
Mult.: 2 000

: 2 000

N-Channel

100 V

240 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET

PSMP032N08NS1_T0_00601
Panjit
2 000: ₡500,17
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMP032N08NS1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP032N08NT0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

₡500,17

₡459,57

Min.: 2 000
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

166 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.75 V

103.5 nC

- 55 C

+ 175 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/6.8mO / DFN3333S-8L

PSMQE070N08LS2_R2_00601
Panjit
10 000: ₡215,47
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMQE070N08LS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQE070N08LS260

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/6.8mO / DFN3333S-8L

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

₡215,47

Min.: 10 000
Mult.: 5 000

: 5 000

SMD/SMT

DFN3333S-8L

N-Channel

1 Channel

80 V

63.8 A

6.8 mOhms

20 V

2.3 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/8.7mO / DFN3333S-8L

PSMQE090N08LS2_R2_00601
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1 Channel

100 V

54 A

9.5 mOhms

20 V

3.8 V

15.7 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

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1 Channel

100 V

50.1 A

9.6 mOhms

20 V

2.2 V

24.8 nC

- 55 C

+ 175 C

53.6 W

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N-Channel

80 V

307 A

2 mOhms

20 V

3.8 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel

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2.8 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.4 mOhms
4.7 mOhms
5 mOhms
5.5 mOhms
6.8 mOhms
7.4 mOhms
7.8 mOhms
8.7 mOhms
9.4 mOhms
9.5 mOhms
9.6 mOhms
9.8 mOhms
12.5 mOhms