Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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IXTX40P50P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
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MOSFETs
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TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 1.2KV 1.4A N-CH POLAR
IXTY1R4N120PHV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 1.2KV 1.4A N-CH POLAR
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MOSFETs
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DPAK-3 (TO-252-3)
Rectificadores y diodos Schottky 10A 45V TO-277B
DST1045S-A
Littelfuse
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576-DST1045S-A
Littelfuse
Rectificadores y diodos Schottky 10A 45V TO-277B
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277B-2
Diodos de Conmutación de Señal Baja 1 Amps 1200V
DSA1-12D
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 1 Amps 1200V
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Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
DS1-2
Diodos de Conmutación de Señal Baja 1800V 2.3A
DSA1-18D
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 1800V 2.3A
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Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
ISOPLUS247-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.8 Amps 1200V 25 Rds
IXTA08N120P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.8 Amps 1200V 25 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1200V 15 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1200V 15 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA52P10P TRL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA52P10P TRL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 150V 0.04 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 150V 0.04 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22 Amps 500V 0.27 Ohm Rds
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Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
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IXTH36N50P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
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IXTH48P20P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
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MOSFETs
Si
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TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
1 656 Se espera el 26/5/2026
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
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747-IXTP16N50P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
140 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
IXTP36P15P
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTP36P15P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
IXTQ110N10P
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
89 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
IXTQ14N60P
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ14N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
254 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
IXTQ460P2
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ460P2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
144 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
IXTQ50N20P
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ50N20P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
302 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds
IXTQ75N10P
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ75N10P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds
310 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds
IXTT100N25P
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147 En existencias
30 Se espera el 17/4/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTT100N25P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds
147 En existencias
30 Se espera el 17/4/2026
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
IXTT140N10P
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₡7 134
21 En existencias
330 Se espera el 11/3/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXTT140N10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
21 En existencias
330 Se espera el 11/3/2026
Embalaje alternativo
1
₡7 134
10
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₡3 509
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)