SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Serie Empaquetado
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module 96En existencias
₡144 949,61
₡144 928,80
₡144 913,18
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM 84En existencias
₡152 897,12
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module 95En existencias
₡131 224,94
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM 94En existencias
₡153 074,08
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module 95En existencias
₡131 027,16
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM 94En existencias
₡152 803,44
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module 52En existencias
₡72 542,47
₡72 526,85
₡71 225,69
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM 94En existencias
₡76 513,62
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module 94En existencias
₡53 056,24
₡53 030,22
₡42 053,60
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM 94En existencias
₡55 731,44
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module 95En existencias
₡72 506,03
₡72 490,42
₡58 901,07
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM 96En existencias
₡75 873,45
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray