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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 666En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.8 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8
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62En existencias
37 500Se espera el 7/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 6.1 A 51.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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1 508En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
Hoja de datos
578En existencias
48 000En pedido
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A 52 mOhms, 52 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
2 627En existencias
12 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 2 Channel 20 V 6 A 20.1 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 28 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
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133En existencias
9 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A, 40 A 9.5 mOhms, 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 19 nC, 35 nC - 55 C + 150 C 16.7 W, 31 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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2 360En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A, 60 A 5.7 mOhms, 2.8 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V, 1.1 V 21.5 nC, 51 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 40 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC70-6
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Comentarios de Producto
23En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 12 V 1.3 A 390 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8
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210En existencias
2 500Se espera el 1/4/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 12 V 8.9 A 18 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 52 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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435En existencias
39 000En pedido
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 20 V 25 A 16.4 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 32 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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599En existencias
6 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 12 V 60 A 3.4 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 37 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8
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2 631En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 20 V 8 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 22 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
Hoja de datos
161 800Se espera el 22/6/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
12 590Se espera el 4/6/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 100 V 12.1 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6
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53 552En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-89-6 N-Channel 2 Channel 20 V 610 mA 396 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1.3 nC - 55 C + 150 C 220 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
2 950Se espera el 27/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 150 V 7.7 A 186 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 19.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Hoja de datos
11 450Se espera el 9/7/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 40 V 34 A 11.71 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 22 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
6 000Se espera el 22/4/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A, 30 A 5.3 mOhms, 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC, 32 nC - 55 C + 150 C 22 W, 40 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Hoja de datos
N/A
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A, 30 A 11.5 mOhms, 28.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V, 2.4 V 6.6 nC, 10 nC - 55 C + 150 C 16 W, 16.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 12 A, 16 A 24 mOhms, 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 1.2 V 12 nC, 23 nC - 55 C + 150 C 20 W, 33 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 6 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms, 1.17 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 24.5 nC, 100 nC - 55 C + 150 C 38 W, 83 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel